Neues von setron: AOS stellt mit AOTF11C60 und AOTF20C60 zwei neue 600 V AlphaMOS-II-Komponenten vor

Die AlphaMOS-II-Produkte (Struktur und Prozess durch angemeldetes Patent geschützt) vereinen die Robustheit und die kontrollierte Schaltcharakteristik der Planartechnologie mit den äußerst niedrigen Durchgangswiderständen der Bauelemente vom Super-Junction-Typ. AOTF11C60 und AOTF20C60 sind optimal für Hochspannungs-Anwendungen geeignet, bei denen die Funktionssicherheit und Leistung kritische Parameter darstellen, wie z. B. Server, Telekommunikations- und Netzwerk-Netzteile, UPS, Solar-Wechselrichter, industrielle Motorkontrollsysteme und LED-Beleuchtung.
Die neue AlphaMOS-II-Technologie von AOS bietet MOSFET-Leistung ohne Kompromisse. Darüber hinaus wurde die neue Linie mittels einer Feinabstimmung der Schaltparameter für rauscharme Anwendungen und eine hohe Effizienz optimiert. Der AOTF11C60 und der AOTF20C60 weisen eine signifikante Verbesserung der UIS-Fähigkeit auf. Aufgrund ihrer niedrigen RDS(ON), Ciss und Crss sind die neuen MOSFETs perfekt für Designs geeignet, welche eine hohe Effizienz, Robustheit und Funktionssicherheit erfordern. Beide Typen sind zu 100 % Rg- und UIS-getestet und haben halogenfreie RoHS-konforme TO-220F Gehäuse.
Yalcin Bulut, Vice President of Discrete Product Lines bei AOS, sagt: "Da Effizienz und Funktionssicherheit zunehmend mehr Bedeutung gewinnen, brauchen Leistungsdesigner Hochspannungs-MOSFETs, welche Reverse Recovery Current Spikes standhalten und Schalt- und Leitungsverluste minimieren können. Mit ihrer einzigartigen Struktur verhelfen die neuen AlphaMOS-II-Produkte den Designern zu robusteren Lösungen."
Leistungsmerkmale des AOTF11C60
- 600 V N-Kanal MOSFET
- RDS(ON)< 0,4 Ohm bei VGS=10 V
- Coss=108 pF
- Qg (10 V)=30 nC
Leistungsmerkmale des AOTF20C60
- 600 V N-Kanal MOSFET
- RDS(ON)< 0,25 Ohm bei VGS=10 V
- Coss=190 pF
- Qg (10 V)=52 nC
Datenblätter und entsprechende Muster sind kostenlos erhältlich.