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ROHM entwickelt ultrakompakten MOSFET mit branchenweit niedrigstem ON-Widerstand, ideal für Schnellladeanwendungen

ID: 2192864

(ots) - ROHM Co., Ltd. hat den AW2K21 auf den Markt gebracht, einen 30V N-Kanal-MOSFET in einer Common-Source-Konfiguration, der einen branchenweit besten* ON-Widerstand von 2,0 Milliohm (typisch) in einem kompakten 2,0 mm x 2,0 mm WLCSP-Gehäuse bietet. Diese Innovation erfüllt die wachsende Nachfrage nach Schnellladefunktionen in kompakten Geräten wie Smartphones und Wearables, die einen bidirektionalen Schutz und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.

*ROHM Studie 8. Juli 2025

Kennzahlen: Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202508073360/_prw_PI1fl_4c6Ms62h.jpg

Herkömmliche Lösungen basieren oft auf zwei großen MOSFETs, um strenge Spezifikationen zu erfüllen – 20 A Nennstrom, 28–30 V Durchbruchspannung und weniger als oder gleich 5 Milliohm Einschaltwiderstand –, was zu erhöhtem Platzbedarf auf der Leiterplatte und einer höheren Komplexität führt. Der AW2K21 von ROHM überwindet diese Einschränkungen durch die Integration von zwei MOSFETs in einem einzigen ultrakompakten Gehäuse, wodurch ein bidirektionaler Schutz bei reduziertem Platzbedarf und geringeren Leistungsverlusten ermöglicht wird.

Kennzahlen: Leistungsvergleich: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202508073360/_prw_PI2fl_8rJgqgL5.jpg

Die proprietäre Struktur erhöht die Zelldichte und platziert den Drain-Anschluss auf der Oberseite, im Gegensatz zu herkömmlichen vertikalen Graben-MOSFETs. Dies ermöglicht ein besseres Verhältnis zwischen Chip und Gehäuse, minimiert den Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit und unterstützt den Hochstrombetrieb. Im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs mit 3,3 mm x 3,3 mm reduziert der AW2K21 die Grundfläche und den Einschaltwiderstand um etwa 81 % bzw. 33 %. Er übertrifft auch ähnlich große GaN-HEMTs mit bis zu 50 % geringerer Einschaltwiderstand.

Der AW2K21 eignet sich ideal für Stromversorgungs- und Ladeschaltungen und zeichnet sich auch in Lastschalteranwendungen als unidirektionaler Schutz-MOSFET aus. ROHM treibt die Miniaturisierung mit einem derzeit in Entwicklung befindlichen Modell mit Abmessungen von 1,2 mm x 1,2 mm weiter voran.





ROHM treibt die Energieeffizienz und Miniaturisierung in der Elektronik weiter voran und leistet mit leistungsstarken Halbleiterlösungen einen Beitrag zu einer nachhaltigeren Gesellschaft.

Kennzahlen: Wesentliche Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202508073360/_prw_PI3fl_6qGC1JV2.jpg

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-07-08_news_mosfet&defaultGroupId=false

AW2K21: https://www.rohm.com/products/mosfets/small-signal/dual/aw2k21-product

Anwendungsbeispiele:

Smartphones, Tablets, Laptops, VR-Headsets, Wearables, tragbare Spielkonsolen, Kompaktdrucker, LCD-Monitore und Drohnen

Informationen zum Online-Verkauf:

Verkaufsstart: April 2025

Musterpreis: 3,50 USD/Stück (ohne MwSt.)

Vertriebspartner: DigiKey (TM): https://www.digikey.com/en/products/detail/rohm-semiconductor/AW2K21AR/26653385?s=N4IgTCBcDaIIIHUwGkwEYQF0C%2BQ

Mouser (TM): https://www.mouser.com/ProductDetail/ROHM-Semiconductor/AW2K21AR?qs=savM97goi5iXEwpYlUTFuw%3D%3D

Farnell (TM): https://www.newark.com/rohm/aw2k21ar/mosfet-dual-n-ch-30v-1-6w-wlcsp/dp/29AM6709

Anwendbare Teile-Nr: AW2K21

Das Produkt wird bei anderen Online-Händlern angeboten, sobald es verfügbar ist.

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202508073360-O1-kmg26FJe.pdf

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202508073360/_prw_PI4fl_R0FM8pC1.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Pressekontakt:

Isamu Kawashima,
Hauptsitz,
Marketing Communications Dept.,
ROHM Co.,
Ltd.,
+81-75-311-2121,
press(at)rohm.co.jp *Bitte kontaktieren Sie uns per E-Mail.


Original-Content von: ROHM Co., Ltd.,übermittelt durch news aktuell


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Datum: 25.08.2025 - 03:17 Uhr
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