Samsung Electronics startet Massenproduktion des industrieweit ersten
3bit 3D V-NAND Flash-Memory (FOTO)
(ots) -
Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer
Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des branchenweit
ersten 3bit Multi-Level-Cell (MLC) dreidimensionalen (3D) Vertical
NAND (V-NAND) Flash-Memory für den Einsatz in Halbleiterlaufwerken
(SSDs oder Solid State Drives) begonnen.
"Mit der Erweiterung einer völlig neuen Serie an High-Density
SSDs, die sowohl hinsichtlich Leistungsfähigkeit als auch im Hinblick
der Nutzung des 3bit V-NAND bei Medien zur Datenspeicherung den
Übergang von herkömmlichen Festplatten auf SSDs beschleunigen wird",
sagt Jaesoo Han, Senior Vice President, Memory Sales & Marketing,
Samsung Electronics. "Die größere Vielfalt von SSDs wird unsere
Produktwettbewerbsfähigkeit erhöhen, während wir unser schnell
wachsendes SSD-Geschäft erneut erweitern."
Das 3bit V-NAND ist Samsungs V-NAND Komponente der zweiten
Generation. Genutzt werden 32 vertikal gestapelte Zell-Layer pro NAND
Memory Chip. Jeder Chip bietet eine Speicherkapazität von 128 gigabit
(Gb).
Bei Samsungs V-NAND Chip-Struktur ist jede Zelle mit Charge Trap
Flash (CFT) Technologie elektrisch mit einer nicht-leitenden Schicht
verbunden. Jedes Zellenarray ist vertikal auf das nächste Array
gestapelt, um Chips mit mehreren Milliarden Zellen zu erhalten.
Der Einsatz von 3 bit-per-cell, 32 Layer, vertikal gestapelter
Zellenarrays erhöht die Effizienz der Speicherproduktion enorm.
Gegenüber Samsungs 10 nanometer (nm) Class* 3bit planar NAND-Flash
ermöglicht das neue 3bit V-NAND mehr als die doppelte
Wafer-Produktivität.
Samsung hat sein V-NAND (24 Layer Zellen) der ersten Generation im
August 2013 vorgestellt. Seine V-NAND (32 Layer) Zellenarray-Struktur
der zweiten Generation stellte das Unternehmen im Mai 2014 vor. Mit
der Markteinführung von 32 Layer, 3bit V-NAND diesen Monat ist
Samsung im Bereich 3D Memory führend und verleiht der Entwicklung von
V-NAND Produktionstechnologie neue Dynamik.
Nachdem 2012 erstmals SSDs auf der Basis von 3bit planar NAND
Flash produziert wurden, hat Samsung bewiesen, dass es tatsächlich
einen Massenmarkt für High-Density 3bit NAND SSDs gibt.
Das industrieweit erste 3bit 3D V-NAND wird die Marktakzeptanz von
V-NAND Memory für SSDs, die sich für normale PC-Anwender eignen,
beachtlich vergrößern. Außerdem werden die Speicheranforderungen der
meisten Server hinsichtlich "High-Endurance" effizient adressiert.
Über Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets,
PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
286000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.
Über Samsung Semiconductor Europe
Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
* Hinweis für Redakteure: 10 nanometer-Class bedeutet eine
Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20
Nanometer.
Samsung und das stilisierte Samsung Design sind Warenzeichen und
Servicebezeichnungen von Samsung Electronics Co. Ltd. andere
Warenzeichen befinden sich im Besitz ihrer jeweiligen Eigentümer.
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:
Ujeong Jahnke
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525
Email: ujeong.j(at)samsung.com
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Datum: 10.10.2014 - 11:41 Uhr
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