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Samsung startet Massenproduktion der industrieweit ersten
DDR4-Module mit 3D-TSV-Technologie für Enterprise-Server (FOTO)

ID: 1100326


(ots) -
Samsung Electronics Ltd. hat mit der Massenproduktion der
industrieweit ersten 64 Gigabyte (GB) Double Data Rate 4 (DDR4)
RDIMM-Module (Registered Dual Inline Memory Module) begonnen, bei
denen die dreidimensionale (3D) "Through Silicon Via" (TSV)
Package-Technologie zum Einsatz kommt. Die neuen leistungsstarken
High-Density-Module werden als Schlüsselkomponenten die weitere
Verbreitung von Cloud-basierten und Enterprise-Server-Anwendungen
vorantreiben sowie der zunehmenden Diversifizierung von
Rechenzentrumlösungen neue Dynamik verleihen.

Die neuen RDIMMs enthalten 36 DDR4 DRAM-Chips mit jeweils vier 4
Gigabit (Gb) DDR4 DRAM-Dies. Samsung fertigt die Low-Power-Chips in
seiner modernsten 20-Nanometer (nm) Class* Prozesstechnologie und 3D
TSV Package-Technologie.

"Samsung stärkt seine Wettbewerbsposition auf dem Markt für DRAMs
mit seiner neuen ''State-of-the-Art''-Lösung, bei der die hauseigene 3D
TSV-Technologie zum Einsatz kommt. Zugleich treiben wir das Wachstum
auf dem weltweiten DRAM-Markt voran", sagt Jeeho Baek, Vice
President, Memory Marketing, Samsung Electronics. "Durch die
Markteinführung äußerst energieeffizienter DDR4-Module, hergestellt
mit 3D TSV-Technologie, gehen wir auf dem Markt für Mainstream DDR4
Memorys einen großen Schritt vorwärts. Mit der erwarteten Einführung
von CPUs der nächsten Generation wird dieser Markt signifikant
wachsen."

Die Massenproduktion von 3D TSV-Modulen von Samsung ist ein neuer
Meilenstein in der Geschichte der Speicher-Technologie. Er folgt auf
den Produktionsbeginn von 3D Vertical NAND (V-NAND) Flash-Speicher im
vergangenen Jahr. Während bei der 3D V-NAND-Technologie vertikale
Strukturen von Zellenreihen in einem monolithischen Die zum Einsatz
kommen, handelt es sich bei 3D TSV um eine innovative
Packaging-Technologie, bei der übereinander gestapelte Dies vertikal




miteinander verbunden werden. Mit der Markteinführung der neuen
TSV-Module hat Samsung seine technologische Führungsposition im "3D
Memory" Bereich weiter ausgebaut.

Bei der Herstellung eines 3D TSV DRAM-Packages werden DDR4-Dies
mit wenigen Dutzend Mikrometer Stärke übereinander gestapelt und
gezielt durchlöchert, um hunderte winzige Löcher zu erhalten. Die
Dies werden über Elektroden, die durch die Löcher gesteckt werden,
vertikal miteinander verbunden. Daraus resultierend sind die neuen
64GB TSV-Module doppelt so schnell wie 64GB-Module, die Packaging mit
Drähten (Wire Bonding) nutzen. Außerdem verbrauchen die neuen Module
nur halb so viel Energie.

Für die Zukunft geht Samsung davon aus, mit seiner 3D
TSV-Technologie mehr als vier DDR4-Dies übereinander stapeln zu
können, um DRAM-Module mit noch höherer Speichersdichte herzustellen.
Dies wird das Wachstum des Marktes für Premium Memory sowie den
Übergang von DDR3 auf DDR4 im gesamten Server-Markt beschleunigen.

An der Optimierung von 3D TSV-Technologie arbeitet Samsung seit
der Entwicklung von 40nm-Class* 8 GB DRAM RDIMMs im Jahr 2010 und
30nm-Class* 32 GB DRAM RDIMMs im Jahr 2011 mit 3D TSV. Dieses Jahr
nahm Samsung ein neues Fertigungssystem in Betrieb, das speziell auf
TSV-Packaging abgestimmt ist und in der Massenproduktion der neuen
Server-Module eingesetzt wird.

Ein Marktbericht von Gartner geht davon aus, dass der weltweite
DRAM-Markt bis zum Jahresende ein Volumen von 38,6 Mrd. Dollar und
29,8 Mrd. Stück (1Gb Äquivalent) erreichen wird. Gartner
prognostiziert auch, dass der Server-Markt im laufenden Jahr über 20%
der DRAM-Produktion ausmachen wird. Dies entspricht etwa 6,7 Mrd.
Stück (1Gb Äquivalent).

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets,
PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
286000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.

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Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:
Ujeong Jahnke
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525
Email: ujeong.j(at)samsung.com

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* Anmerkung des Verfassers: 20nm-Class bedeutet eine
Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 20 und 30
Nanometer. 30nm-Class bedeutet eine Prozesstechnologie mit
Halbleiterstrukturen zwischen 30 und 40 Nanometer. Mit 40nm-Class ist
eine Prozesstechnologie mit Halbleiterstrukturen zwischen 40 und 50
Nanometer gemeint.

Samsung und das stilisierte Samsung Design sind Warenzeichen und
Servicebezeichnungen von Samsung Electronics Co. Ltd. andere
Warenzeichen befinden sich im Besitz ihrer jeweiligen Eigentümer.



Pressekontakt:
Ujeong Jahnke / Marketing communication
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel +49(0)6196-66-3300
Ujeong.j(at)samsung.com


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